三星电子周三 (4 日) 于东京品川举行 2019 晶圆代工论坛 (Samsung Foundry Forum)，席间向日本企业展示了7nm制程的极紫外光 (EUV) 技术。
三星电子表示，尽管有出口限制，但仍有大量来自日本的无晶圆厂公司和合作伙伴参加了论坛。
SFF 是三星电子在主要国家推广其代工业务规划和新技术的活动，该论坛于 2016 年在美国开始举办，自 2017 年以来，已在韩国、美国、中国、日本和欧洲等五个地区举办。
三星电子发布了将在明年推出的 3 nm Gate-All-Around (GAA) 制程，并为企业客户释出了制程设计套件 (PDK)。
三星的 3 nm晶圆代工制程是一项尖端技术，与最新批量生产的 7 nm鳍式场效晶体管 (FinFET) 制程相比，可将芯片面积减少 45%，并可将功耗降低 50%、性能提升 35%。
三星电子于 4 月份在韩国华城的 S3产线开始大规模生产7nm芯片，并计划在今年内完成 4 nm制程的开发，并于明年开发 3 nm制程。
特别值得一提的是，三星电子也借机解释了其因日本对韩国的出口限制而导致供应中断的 EUV铸造制程的生产稳定性。由于管制，外界难免担心该制程会遇到困难。
7 月初，日本开始限制蚀刻气体 (高纯度氟化氢)、含氟聚酰亚胺和光刻胶的出口。因此，外界一直担心三星电子的生产中断，这是韩国唯一一家拥有 EUV 批量生产技术的公司。
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