存储器一直是半导体市场中占比最大的产品之一，且被认为是本轮全球半导体寒冬的主要“罪魁”。然而，近日原本持续下跌的存储器价格却走出了一轮上涨行情。
分析人士认为，导致这波涨价的诱因正是近日爆发的日韩贸易战——日本对韩国半导体关键材料限制出口导致三星、SK海力士减产，反而间接有利于改善当前存储器市场供大于求的形势。
那么，这次存储器的价格波动是少数企业借机炒作抬价，还是有着现实支撑？未来存储器市场能否借此走出一轮长期的上扬之势呢？
禁运弄巧成拙？
在经历了接近一年“跌跌不休”的局面后，近日国际存储器价格出现了一轮小幅上涨的行情。根据研调机构集邦咨询旗下DRAMeXchange数据显示，7月10日8GB DDR4 DRAM均价较前一天上涨1.2%。这是去年9月以来，现货价首次上涨。
另据中国台湾地区媒体报称，部分内存模组厂商如威刚等已经开始限量供应现货产品。而随着报价的反弹，具备NAND芯片制造能力的旺宏、华邦等厂，以及内存模组厂威刚、创见、十铨、群联、宇瞻和广颖等受益明显，营运有望大幅提升。
那么，是什么导致了此轮存储器的涨价呢？一些市场分析人士将原因指向近日爆发的日韩贸易战。由于韩国企业三星、SK海力士占据全球存储器市场的主导地位（DRAM市场，三星占全球份额的43.9%，SK海力士为29.5%；NAND闪存市场，三星为36.5%，SK海力士为10.5%）。
在日韩贸易战影响下，两家公司均有可能缩减存储器产能。但是，由于目前国际市场上DRAM和NAND闪存都存在着供过于求的隐忧。因此，这对存储器市场来说反而是个好消息。
据韩国《经济日报》报道，三星和SK海力士正在考虑从本月开始减少NAND闪存产量。“对产量下降的预期可能会抬高价格。”首尔DB Financial Investment分析师Kwon Sung-ryul表示。
中国台湾地区内存厂旺宏董事长吴敏求也认为，在日本政府对半导体关键材料出口韩国祭出限令下，短期内虽有库存可供给需求，长期来看一定会造成缺货，在限令实行的3个月后，NAND闪存市场将会“极度”混乱。在供不应求的情况下，台厂及其他非韩厂的内存厂商，将会因此受益。
事实上，这并不是存储厂商第一次从重大事件中受益。2013年，SK海力士在中国无锡工厂的火灾影响了全球DRAM产量的6％，并使这些芯片的价格一度飙升了约88％。
借机炒作还是有现实支撑？
那么，这轮存储器涨价的背后，是否有着借机炒作抬价的嫌疑呢？集邦咨询研究协理陈玠玮表示：“以NAND闪存合约价来看，目前观察到报价确实是有所上涨。”也就是说，虽然市场上免不了存在一定的炒作，不过本轮价格上涨也有一定现实支撑的。
事实上，在日韩贸易战发生之前，NAND闪存市场已经有了库存快速消化的迹象，并且出现存储器价格将结束长期跌势的呼声。上个月，受到日本强震影响，东芝公司NAND闪存工厂产量减少20％以上。
此次事故不仅对东芝的产量造成影响，而且西部数据也在东芝的制造工厂生产NAND闪存，同样受到重创。由于东芝和西部数据的市场份额分别高达19.3％和15.3％。这起事故已经在一定程度上形成减产降库存的效果，对存储器价格形成了支撑。
陈玠玮甚至认为，近期存储价格的小幅上涨主要是受到东芝停电的影响。“日韩贸易战目前更多还只是停留在消息面上。”陈玠玮说。
长期走势尚需观察，反转或在明年中期？
长期来看，存储市场将会如何发展？未来存储器能否借助此次事件的影响，走出一轮长期的上扬之势呢？集邦咨询分析认为，消息面只能影响短期市场走势，长期变化还需看市场的供需形势。DRAM价格已然历经了连续三个季度的快速下滑，下游模组厂的库存普遍偏低。
因此，在日韩贸易战消息的影响下，确实有部分模组厂开出上扬的价格或表示将停止生产。然而，现货市场只占整体DRAM市场的不到10%，中长期产业的供需态势仍需关注占比超过9成的合约市场。
集邦咨询资深协理吴雅婷表示：“目前DRAM仍处于买方市场，原厂库存只能降价求售。接下来价格何时反转，仍然取决于需求面何时出现大幅增长。”但从需求面来看，不论零售端的PC、智能手机，还是企业用服务器与数据中心的建设，目前整体终端需求仍然呈现十分疲弱的态势。
因此，DRAM市场短期可能会受到日韩贸易战消息的影响，但却很难就因此得出市场将出现结构性供需反转的结论。
吴雅婷预估，DRAM市场出现反转的时间点有可能落在2020年第二季度末至第三季度以内。届时有可能出现终端的旺季需求，带动存储器的库存消化，进而推升价格。至于NAND闪存市场，由于NAND闪存晶圆的市场报价已经偏低，预计七月起各供应商报价将出现涨势。
集邦咨询认为，由于供应商普遍备有2-3个月的库存，多数模组厂不会第一时间接受涨价，后续则需视市场及供应端库存状况决定交易价是否上涨。虽然NAND闪存价格短期将出现上扬，但长期仍有跌价的压力。
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