财联社资讯获悉，日本政府近日宣布从7月4日起开始管控向韩国出口3种生产半导体、智能手机与面板所需的关键材料，造成存储器产业下游模组厂出现提高报价状况。据DRAMeXchange 7月16日报价，威刚DDR4-2666 8GB内存价格上涨25.7％，亿储DDR4-2666 8GB内存上涨20.65％，金泰克DDR4-2666 8GB内存上涨17.99％。此外，DDR4 8GB DRAM颗粒现货价格上涨5.09％。
韩国的三星电子和SK海力士在全球的半导体存储器领域一直都处于垄断地位，在DRAM内存领域，这两家韩国企业的全球市场份额达到了七成，在NAND闪存领域的市场占有量达到了五成。据国联证券分析，自上月东芝工厂因强震停工，NANDFlash芯片产能减少约3%，叠加近期日韩贸易摩擦，NANDFlash芯片产能或继续减少7%。预计在库存快速消化及未来供给缩减下，NANDFlash芯片价格或将结束长达二年多的跌势。同时，若日韩贸易谈判再僵持，下季DRAM合约价也将止跌反弹，出现NAND与DRAM两大内存“双涨”效应。
A股上市公司中，太极实业子公司海太半导体唯一客户为SK海力士，同时SK海力士全球约50%的DRAM芯片封测均在海太完成。深科技旗下深科技沛顿拥有行业领先的高端封装技术能力，尤其在存储器DRAM方面具备世界最新一代的产品封测技术。
