导读：7月1日，日本经济产业部宣布，加强对南韩出口管制制造“氟聚醯亚胺”、半导体制程使用的“光刻液”和“高纯度氟化氢”等半导体材料。2天后（7月3日），韩国产业通商资源部决定对半导体材料、零部件、设备研发投入6万亿韩元的预算。
DRAM现货市场交易萧条1
关于日韩原料出口限制事件，本周DRAM现货市场未受影响，整体下跌趋势并未改变。各品牌颗粒部分，因上个月底销售量不佳，月初价格持续修正，买方观望态度浓厚，最终交易情况萧条。
在DDR4 1Gx8 2666/2400部分，SK Hynix CJR-VKC报价已下修来到USD3.20左右，AFR-UHC现货价格下调至USD2.95。
DDR4 512x8 2400部分，SK Hynix BJR-UHC下修来到USD1.75左右，Samsung WE-BCRC下跌至USD1.60左右。
DDR4 256x16部分，SK Hynix AFR-UHC/BJR-UHC维持在USD1.75附近，Samsung WE-BCRC现货报价维持在USD1.60。
模组现货价格参考：
KST DDR4 8G 2400 USD 26.50 大陆市场 USD25.40
KST DDR4 16G 2400 USD 54.25 大陆市场 USD54.00
NAND Flash市场盘势持续振荡2尽管近期原厂事件消息甚多，但总体而言需求动能明显不足，整体盘势持续振荡。
具体而言，贸易商方面持续制造涨价氛围，并积极炒作及哄抬报价，彼此之间亦有些许成交。而工厂端见终端需求仍不明朗，且安全库存仍有6-8周，加上代理商对于Q3官价依然持平，未有延迟交货通知。虽有针对特定料号询价的零星急单，但市场报价偏高甚多，而买方目标价格提升有限，因此需求转向Micron或向代理商排单。
其中Samsung SLC颗粒一度受到Toshiba事件影响，市场报价微幅攀升，但因价格仍是相对处于高价，在价格优先的买方需求下，订单多转向于其他品牌颗粒，报价进而趋向平缓。
SK Hynix SLC颗粒受到转单效应2G/4G相对低价部位有些许成交，但后续受限于交易条件，需求并未持续，价格微幅修正。
Micron SLC各容量低价部位，承接Toshiba需求，市场报价止跌回稳，但在原厂颗粒陆续到货后，呈现疲软走势。
Memory Card品牌卡表现热络3本周TF卡表现较为热络，需求稍有增加，买家问价动作频频，主要集中在8G/16G上，市场价格皆有上调，买价也有提高，但幅度有限，买家未有持续追高，多数价格趋于平稳。
以下为OEM厂商、Toshiba以及SandDisk各自在本周的报价表现。
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